JC-14還(huan)規(gui)定(ding)了(le)可靠性試驗(yan)規(gui)范，如HTRB高(gao)溫反(fan)向偏(pian)置試驗(yan)，H3TRB高(gao)濕高(gao)溫反(fan)偏(pian)實驗(yan)，TC溫度周次等實驗(yan)的測試方法及判定(ding)依據。
JC-25: 晶體管委員會
JC-25的(de)職責是制定包括硅晶體(ti)管(guan)(guan)，如雙極晶體(ti)管(guan)(guan)、場(chang)效應晶體(ti)管(guan)(guan)和絕緣柵(zha)晶體(ti)管(guan)(guan)，以(yi)及智能功率器件的(de)相(xiang)關標準(zhun)和出(chu)版(ban)物，這些文件有(you)的(de)對工程(cheng)師在應用(yong)IGBT時都很有(you)幫助，其中有(you)如何測量(liang)管(guan)(guan)腳溫(wen)度，如何用(yong)紅外成(cheng)像(xiang)測芯片溫(wen)度以(yi)及短路測試方(fang)法(fa)等。
JEP84A RECOMMENDED PRACTICE FOR MEASUREMENT OF TRANSISTOR LEAD TEMPERATURE
JEP138 USER GUIDELINES FOR IR THERMAL IMAGING DETERMINATION OF DIE TEMPERATURE
JESD24-9 SHORT CIRCUIT WITHSTAND TIME TEST METHOD
此外，JEDEC制(zhi)定了一(yi)系列(lie)測(ce)試(shi)方法(fa)，基于這些方法(fa)，可以開發實用的(de)測(ce)試(shi)儀器及測(ce)試(shi)平臺，例(li)如(ru) Mentor熱瞬態測(ce)試(shi)儀T3STER就是(shi)基于JESD51-14開發的(de)。
JESD51-14 TRANSIENT DUAL INTERFACE TEST METHOD FOR THE MEASUREMENT OF THE THERMAL RESISTANCE JUNCTION-TO-CASE OF SEMICONDUCTOR DEVICES WITH HEAT FLOW THROUGH A SINGLE PATH
模塊標準體系——IEC
IEC是(shi)指國(guo)際(ji)電工委員會。它(ta)成(cheng)立于1906年，是(shi)世界上成(cheng)立最早的(de)國(guo)際(ji)性電工標準化機構，負責有關電氣工程(cheng)和電子工程(cheng)領域中的(de)國(guo)際(ji)標準化工作(zuo)。第83屆IEC大會于2019年10月14日至25日在中國(guo)上海(hai)舉辦，主題為“質量成(cheng)就(jiu)美好生活(huo)”，共(gong)邀請100多(duo)個國(guo)家(jia)的(de)3800多(duo)名(ming)專家(jia)來華與會。
半(ban)導(dao)體(ti)器件屬于(yu)(yu)TC47技術委員會，IGBT單管和模(mo)(mo)塊(kuai)屬于(yu)(yu)SC47E分立半(ban)導(dao)體(ti)。這里分立半(ban)導(dao)體(ti)是(shi)區別于(yu)(yu)集(ji)成電路，也包(bao)括模(mo)(mo)塊(kuai)。英(ying)飛(fei)凌(ling)模(mo)(mo)塊(kuai)設(she)計主要參照(zhao)IEC系列標準(zhun)。
IEC60747系列(lie)標準規定了HTRB，H3TRB，PC和TST等可靠性實驗的測試標準，IGBT器件遵守的標準為
IEC60747-9 Semiconductor devices-Part 9 Insulated-gate bipolar transistors (IGBTs)
IEC60747-9對應的國標是(shi)GB/T 29332—2012半(ban)導(dao)體(ti)器件(jian)分立器件(jian)，其中第9部分：絕緣(yuan)柵雙極晶體(ti)管(guan)（IGBT），英(ying)飛凌(ling)是(shi)主(zhu)要起草(cao)單位之一。
IGBT模塊所遵守標準是IEC60747-15 Discrete semiconductor devices-15 Isolated power semiconductor devices。
機械和氣候試驗方法標準適用標準為IEC60749 Semiconductor devices - Mechanical and climatic test methods，對應(ying)的國標是GB/T 4937.1半(ban)導體器(qi)件(jian)機(ji)械(xie)和(he)氣候(hou)試驗(yan)方法。
應用系統相關標準
IGBT應(ying)用(yong)非(fei)常(chang)廣，有些(xie)應(ying)用(yong)領域(yu)和(he)行(xing)業(ye)針對其特定(ding)應(ying)用(yong)要求，制(zhi)定(ding)了(le)相關標準。
在直流輸電領域是高壓大電流應用，對IGBT特別的要求，SAC/TC60/SC6(即原來的TC413)組織成立了工作組，制定了國家標準GB/T37660-2019 《柔性直流輸電用電力電子器件技術規范》，并于2020年1月1日實(shi)施。英飛凌(ling)派員(yuan)加入(ru)工(gong)作組，參加了起草工(gong)作。
在汽車行(xing)業中，有兩份相關標(biao)準為業內人(ren)士熟知(zhi)：
汽車級分立半導體應力測試方法，由汽車電子委員會(AEC) 制定，標準名為AEC-Q101 STRESS TEST QUALIFICATION FOR AUTOMOTIVE GRADE DISCRETE SEMICONDUCTORS。
汽車用IGBT模塊驗證規范，2018年4月由 ECPE 歐洲電力電子研究網絡發布，標準名為AQG 324 Qualification of Power Modules for Use in Power Electronics Converter Units (PCUs) in Motor Vehicles，它(ta)前身是LV324，由(you)汽(qi)車行(xing)業的廠商代(dai)表編制(zhi)，包括奧迪，BMW，戴(dai)姆勒，保時捷，大眾等。
