MOS管和IGBT管作為現代電子設備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態參數相似的很，有時在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙!
MOS管
MOS管(guan)即(ji)MOSFET，中文(wen)名金屬氧化物半導體絕緣(yuan)柵(zha)場效應管(guan)。其特性，輸(shu)入阻(zu)抗高、開關速度快、熱(re)穩定性好、電(dian)壓控(kong)制電(dian)流等特性。
IGBT管
IGBT中文名絕緣柵雙(shuang)極型場效應晶(jing)(jing)體管(guan)(guan)(guan)，是(shi)MOS管(guan)(guan)(guan)與晶(jing)(jing)體三(san)極管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)組合(he)，MOS是(shi)作(zuo)為輸(shu)入管(guan)(guan)(guan)，而晶(jing)(jing)體三(san)極管(guan)(guan)(guan)作(zuo)為輸(shu)出管(guan)(guan)(guan)。于是(shi)三(san)極管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)功率(lv)做的(de)(de)挺(ting)大，因此兩者(zhe)組合(he)后即(ji)得到了MOS管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)優(you)點(dian)又獲得了晶(jing)(jing)體三(san)極管(guan)(guan)(guan)的(de)(de)優(you)點(dian)。
綜(zong)上所(suo)述的(de)(de)兩(liang)種晶(jing)體管(guan)，是目前電子(zi)(zi)設備使用(yong)頻率很高(gao)的(de)(de)電子(zi)(zi)元器件(jian)，兩(liang)者(zhe)在外(wai)形及靜態(tai)參數極(ji)其相似(si)，某些電子(zi)(zi)產(chan)品是存在技術壟斷， 在電路中有時它(ta)們的(de)(de)型(xing)號是被擦掉的(de)(de)，截止目前，它(ta)們在命名標準及型(xing)號統又沒(mei)有統一標準，而外(wai)型(xing)及管(guan)腳的(de)(de)排列相似(si)，根本無規律(lv)可循，成為維(wei)修(xiu)過程中的(de)(de)攔(lan)路虎，如何(he)區(qu)分和判斷成為必(bi)要手段(duan)。
MOS管(guan)和(he)IGBT管(guan)的辨別
帶阻(zu)尼的(de)(de)(de)NPN型IGBT管(guan)(guan)與N溝(gou)道增(zeng)強型MOMS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)識別帶阻(zu)尼的(de)(de)(de)NPN型IGBT管(guan)(guan)與N溝(gou)道增(zeng)強型MOMS管(guan)(guan)它(ta)們的(de)(de)(de)柵極(ji)位置(zhi)一樣，IGBT管(guan)(guan)的(de)(de)(de)C極(ji)位置(zhi)跟(gen)MODS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)D極(ji)位置(zhi)相對(dui)應(ying)(ying)，IGBT管(guan)(guan)的(de)(de)(de)e極(ji)位置(zhi)跟(gen)MODS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)S極(ji)位置(zhi)相對(dui)應(ying)(ying)，對(dui)它(ta)們的(de)(de)(de)好壞判斷及(ji)及(ji)區分(fen)可以用(yong)動靜態測量方法來(lai)完(wan)成。
一(yi)、靜態測量判斷MOS管(guan)和IGBT管(guan)的(de)好壞
先將(jiang)兩個(ge)管(guan)(guan)子(zi)的(de)(de)(de)管(guan)(guan)腳(jiao)短路放掉靜電，MOS管(guan)(guan)的(de)(de)(de)D極(ji)(ji)與(yu)S極(ji)(ji)之間有(you)(you)個(ge)PN接，正向(xiang)導通(tong)反向(xiang)截(jie)止，于是有(you)(you)Rgd=Rgs=Rds=無(wu)窮(qiong)大，Rsd=幾(ji)千歐(ou)。IGBT管(guan)(guan)的(de)(de)(de)G極(ji)(ji)到c、e極(ji)(ji)的(de)(de)(de)電阻(zu)應為無(wu)窮(qiong)大，即(ji)Rgc=Rge=無(wu)窮(qiong)大，而IGBT管(guan)(guan)的(de)(de)(de)之間有(you)(you)阻(zu)尼二極(ji)(ji)管(guan)(guan)的(de)(de)(de)存在，因(yin)此具(ju)有(you)(you)單向(xiang)導電反向(xiang)截(jie)止特性，即(ji)Rce=無(wu)窮(qiong)大，Rec=幾(ji)千歐(ou)。從(cong)這里只能用(yong)萬(wan)用(yong)表的(de)(de)(de)電阻(zu)檔判(pan)斷出(chu)管(guan)(guan)子(zi)的(de)(de)(de)好(hao)壞，卻(que)區分不出(chu)是那(nei)種(zhong)管(guan)(guan)子(zi)。測量得(de)阻(zu)值很小，則說明(ming)管(guan)(guan)子(zi)被擊穿，測量阻(zu)值很大，說明(ming)管(guan)(guan)子(zi)內部斷路。
動態(tai)測量區分MOS管(guan)和IGBT管(guan)
先用(yong)萬用(yong)表給管子的(de)柵極施加電壓，是場(chang)效(xiao)應管建(jian)立起溝道，然后(hou)測量(liang)D、S及c、e之間的(de)阻值(zhi)(zhi)，根據阻值(zhi)(zhi)的(de)差(cha)異(yi)來區分MOS管和IGBT管。
用(yong)萬(wan)用(yong)表的電阻(zu)(zu)檔(dang)測量兩(liang)個(ge)管(guan)(guan)子的D、S及c、e之間(jian)(jian)(jian)的電阻(zu)(zu)，由(you)于場效(xiao)應管(guan)(guan)已(yi)經(jing)建立溝道，Rds=Rsd≈0，而Rce之間(jian)(jian)(jian)呈現電阻(zu)(zu)Rce，晶(jing)體三極(ji)管(guan)(guan)處(chu)于放大狀(zhuang)態的導(dao)通電阻(zu)(zu)，Rec為內部阻(zu)(zu)尼(ni)二極(ji)管(guan)(guan)的導(dao)通電阻(zu)(zu)，兩(liang)者(zhe)均為幾千歐。因此(ci)根據測量可知(zhi)，兩(liang)個(ge)管(guan)(guan)子的導(dao)通程度(du)不一樣，MOS管(guan)(guan)的D、S之間(jian)(jian)(jian)電阻(zu)(zu)值是遠(yuan)小于IGBT管(guan)(guan)c、e之間(jian)(jian)(jian)的電阻(zu)(zu)值，于是可以分辨出MOS與IGBT管(guan)(guan)。
