MOS管和IGBT管作為現代電子設備使用頻率較高的新型電子器件，因此在電子電路中常常碰到也習以為常。可是MOS管和IGBT管由于外形及靜態參數相似的很，有時在選擇、判斷、使用容易出差池。MOS管和IGBT管可靠的識別方法為選擇、判斷、使用掃清障礙!
MOS管
MOS管即(ji)MOSFET，中(zhong)文名金屬氧(yang)化(hua)物半導體絕緣柵場效應管。其特性(xing)，輸入阻(zu)抗高、開關(guan)速度(du)快(kuai)、熱穩定性(xing)好、電壓控制電流等特性(xing)。
IGBT管
IGBT中文名(ming)絕(jue)緣柵雙極型場效應晶(jing)(jing)體(ti)管(guan)，是MOS管(guan)與(yu)晶(jing)(jing)體(ti)三極管(guan)的(de)組合，MOS是作(zuo)為(wei)輸(shu)入管(guan)，而晶(jing)(jing)體(ti)三極管(guan)作(zuo)為(wei)輸(shu)出(chu)管(guan)。于是三極管(guan)的(de)功(gong)率(lv)做的(de)挺大，因此兩者(zhe)組合后即得(de)到了MOS管(guan)的(de)優點(dian)又獲得(de)了晶(jing)(jing)體(ti)三極管(guan)的(de)優點(dian)。
綜上所述的兩種晶(jing)體(ti)管，是目前電子(zi)設備使用頻率很(hen)高的電子(zi)元器(qi)件，兩者在外(wai)形及(ji)靜(jing)態參數極其相似，某些(xie)電子(zi)產品是存在技術壟斷(duan)， 在電路中有(you)(you)時它們的型號(hao)(hao)是被擦掉(diao)的，截(jie)止(zhi)目前，它們在命名標準及(ji)型號(hao)(hao)統又沒有(you)(you)統一(yi)標準，而外(wai)型及(ji)管腳的排列相似，根本無規(gui)律可循，成(cheng)(cheng)為維修過程中的攔路虎，如(ru)何區分和判斷(duan)成(cheng)(cheng)為必(bi)要(yao)手段。
MOS管(guan)和IGBT管(guan)的辨(bian)別
帶阻尼的(de)NPN型(xing)IGBT管(guan)與N溝道增(zeng)強型(xing)MOMS管(guan)的(de)識(shi)別帶阻尼的(de)NPN型(xing)IGBT管(guan)與N溝道增(zeng)強型(xing)MOMS管(guan)它(ta)們的(de)柵極(ji)(ji)(ji)位(wei)置一樣(yang)，IGBT管(guan)的(de)C極(ji)(ji)(ji)位(wei)置跟MODS管(guan)的(de)D極(ji)(ji)(ji)位(wei)置相(xiang)對應，IGBT管(guan)的(de)e極(ji)(ji)(ji)位(wei)置跟MODS管(guan)的(de)S極(ji)(ji)(ji)位(wei)置相(xiang)對應，對它(ta)們的(de)好(hao)壞判斷及及區(qu)分可以用動靜態測量方法來完成(cheng)。
一、靜態(tai)測量判斷MOS管(guan)和IGBT管(guan)的好(hao)壞
先將兩(liang)個(ge)管(guan)(guan)(guan)(guan)子的(de)管(guan)(guan)(guan)(guan)腳短路放掉靜電，MOS管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)D極(ji)與S極(ji)之(zhi)間(jian)有(you)個(ge)PN接，正向(xiang)導通反向(xiang)截止，于是(shi)有(you)Rgd=Rgs=Rds=無(wu)窮大(da)，Rsd=幾千(qian)歐。IGBT管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)G極(ji)到c、e極(ji)的(de)電阻(zu)應為無(wu)窮大(da)，即Rgc=Rge=無(wu)窮大(da)，而IGBT管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)之(zhi)間(jian)有(you)阻(zu)尼二極(ji)管(guan)(guan)(guan)(guan)的(de)存在，因此(ci)具有(you)單(dan)向(xiang)導電反向(xiang)截止特性(xing)，即Rce=無(wu)窮大(da)，Rec=幾千(qian)歐。從這(zhe)里(li)只能用(yong)萬用(yong)表(biao)的(de)電阻(zu)檔判斷(duan)出管(guan)(guan)(guan)(guan)子的(de)好壞，卻區分(fen)不出是(shi)那種(zhong)管(guan)(guan)(guan)(guan)子。測(ce)量得阻(zu)值很小，則說明(ming)管(guan)(guan)(guan)(guan)子被擊穿(chuan)，測(ce)量阻(zu)值很大(da)，說明(ming)管(guan)(guan)(guan)(guan)子內部斷(duan)路。
動(dong)態測量區分MOS管和(he)IGBT管
先用萬用表(biao)給管(guan)子(zi)的柵極施加電壓，是場效(xiao)應管(guan)建立起溝道，然后測量D、S及c、e之間的阻(zu)值，根據阻(zu)值的差異來(lai)區分MOS管(guan)和IGBT管(guan)。
用(yong)萬用(yong)表的電(dian)阻(zu)檔測(ce)量兩個管(guan)子的D、S及(ji)c、e之間(jian)的電(dian)阻(zu)，由于(yu)(yu)場效應管(guan)已經建立(li)溝道，Rds=Rsd≈0，而Rce之間(jian)呈(cheng)現電(dian)阻(zu)Rce，晶體(ti)三(san)極管(guan)處(chu)于(yu)(yu)放(fang)大狀態的導(dao)通電(dian)阻(zu)，Rec為內(nei)部阻(zu)尼二極管(guan)的導(dao)通電(dian)阻(zu)，兩者均為幾千歐。因此根據測(ce)量可知(zhi)，兩個管(guan)子的導(dao)通程度不一(yi)樣，MOS管(guan)的D、S之間(jian)電(dian)阻(zu)值是(shi)(shi)遠小于(yu)(yu)IGBT管(guan)c、e之間(jian)的電(dian)阻(zu)值，于(yu)(yu)是(shi)(shi)可以分辨出(chu)MOS與IGBT管(guan)。
